La différence entre un BJT, ou transistor à jonction bipolaire, et un FET, ou transistor à effet de champ, réside dans son contrôle et sa polarité ; Le BJT est bipolaire et le FET est unipolaire. Un BJT est principalement contrôlé par le courant, tandis qu'un FET est principalement contrôlé par la tension.
Un BJT repose sur deux porteurs de charge différents, le trou et l'électron pour son niveau de conduction. Un FET repose sur un porteur de charge, un trou ou un électron pour son niveau de conduction. Un FET à canal n a un électron comme porteur de charge. Le trou est le porteur de charge pour un FET à canal p. Les BJT peuvent être des transistors npn ou pnp.
Les autres différences entre un BJT et un FET concernent la stabilité de la température et la taille. Normalement, un FET est plus petit avec une température plus stable qu'un BJT.
